Revolúcia v DRAM: Ako by mohla vyzerať budúcnosť pamätí?
Revolúcia v DRAM? Výrobcovia zmenšujú bunky pamäte vertikálne, podobne, ako pri 3D NAND flash. Nové riešenia by mohli otvoriť cestu k „skutočnej 3D DRAM“ a výrazne zvýšiť výkon počítačov.
Pamäte DRAM sú základom dnešných počítačov a smartfónov. No ich ďalšie zmenšovanie sa stáva čoraz náročnejším. Video od Asianometryho nám predstavuje fascinujúce riešenia, ktoré by mohli otvoriť cestu k „skutočnej 3D DRAM“ – pamätiam, kde sú jednotlivé bunky usporiadané vertikálne, podobne ako pri 3D NAND flash pamätiach. Poďme sa pozrieť na to, čo nás čaká a prečo je toto taký veľký deal!
Problémy s tradičným škálovaním DRAM
Škálovanie DRAM (Dynamic Random-Access Memory) – teda zmenšovanie jednotlivých buniek pamäte – už nie je také jednoduché ako kedysi. Tradične sa spoliehali na zmenšovanie samotných komponentov v bunkách, no to vedie k problémom s hustotou a spoľahlivosťou. Namiesto toho výrobcovia začínajú vrstviť bunky nad sebou, čo však prichádza so svojimi vlastnými výzvami.
